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铌酸锂Q开关

光学级铌酸锂（LN）晶体拥有较好的电光性能，非线性系数大，光学均匀性好，机械及化学性能稳定，不潮解等优点。用LN制作横向调制电光Q开关，具有半波电压低，重复频率高，常被应用于Er:YAG、Ho:YAG、Tm:YAG、Nd:YAG等作为工作物质的激光器中，尤其在激光测距领域发挥着重要的作用。

在激光器中安装LN晶体时，由于LN Q开关元件性能对于角度非常敏感，必须采用一定封装结构加以可靠固定，以满足激光器光路调节、抗冲击和引出电极的需要。电光晶体的工作电压一般在几千伏左右。采用传统的安装方法，LN晶体直接与电极连接，在外接电极与晶体之间需要加一定压力以便实现良好的电接触。由于外接电极与晶体间的接触近似为刚性接触，所以安装时如果晶体上产生的夹持应力过大，会在LN晶体内部产生较大的应力双折射，导致电光开关工作性能下降，而且晶体甚至有被压碎的可能。另外，由于电光晶体工作电压在几千伏左右，如果绝缘不好，将产生漏电现象，造成电光开关无法使用，甚至危害其它设备。

本公司深入分析LN的特性，推出紧凑型、低装配应力LN Q开关。